位于高新西区的IC设计产业园，

是成都高新区高品质科创空间之一，

目前园区3、5、6、7、8、9楼已封顶，

明年6月将实现交付。

园区以构建IC设计产业生态圈为战略，

将建设成为基础设施完善、产业高度聚集、

自主创新活跃、推动区域发展的

新一代综合性智慧+产业创新园区。

 IC设计产业园

聚焦五大发展理念，

打造技术创新、内外开放、绿色环境、

区域协同、成果共享的

中国西部“创芯谷”IC设计示范区。

项目位置

位于成灌高速与天润路合顺路口。

东临电子科技大学清水河校区，南临学府海棠、阳光保险及龙湖时代天街，北临成灌高速与Intel园区。

用地面积

项目净用地面积约85.9 亩，总建面约22万平米，规划停车位1300余个。

空间布局

高层研发楼位于用地东北角，面向中心城区，为园区标志性建筑。

多层研发楼围绕公共服务中心布局，营造出高品质的中央景观区。

板式研发办公楼

1号楼

标准层3750平方米，共12层。采用单元式设计，可一分二、一分四灵活分隔，适合快速成长企业，满足日常办公，会议室、研发设计部门等需求。

高层研发办公楼

2-1号楼

标准层2000平方米，共计23层。高层塔楼办公区兼顾整层、一分二、一分四分隔方式，适合成长起来的本地龙头企业或总部企业，能满足多部门日常办公、多会议室、研发设计中心等需求。同时可兼容快速成长企业。

SOHO办公楼

2-3号楼

标准层1350平方米，共计24层 。3.6米层高留有灵活空间，可改造为乙级写字楼。同时兼顾公寓、酒店功能。

独栋研发办公楼

5—9号楼

标准层1250平方米，每栋楼5~7层。采用单元式设计，可整栋亦可改造后分栋。满足各规模企业办公需求。

聚焦西部IC产业发展

招引：重点招引国内外优质企业入驻，并设立企业总部。

培育：引进国内孵化器、平台服务公司、知识产权服务公司；引导区内孵化的优质企业、高成长企业入驻 集成电路设计专项政策支持。

自建：专业孵化器 、公共技术服务平台、金融服务平台 、人才培育基地。

立体化的景观园区

园区通过局部架空、设置广场、屋顶露台等方式，建立了一个立体化的景观园区，无论是在园区中穿行或是在办公楼中办公，都能获得良好的景观视野。

结合IC行业特征及需求，园区配套餐厅、健身步道、休憩空间等场所，并将引入24小时便利店、健身房、茶道馆等业态，为入住企业营造出宜人的办公场景及生活场景。

IC设计产业园建成后，

将联动电子科大进行校企合作，

协同周边封测、制造等配套产业，

为电子信息产业功能区企业聚势赋能，

打造中国西部“创芯谷”、IC产业“示范区”